x close
Click Accept pentru a primi notificări cu cele mai importante știri! Nu, multumesc Accept
Jurnalul.ro Tech Gadget Detronarea cipului de siliciu

Detronarea cipului de siliciu

de Cristian Ionita    |    06 Sep 2005   •   00:00
Detronarea cipului de siliciu

Cercetatorii au descoperit o tehnologie ce poate inlocui semiconductorii pe baza de siliciu cu altii mult mai performanti.

O echipa de cercetatori sud-coreeni a anuntat descoperirea unei tehnologii care ar putea inlocui semiconductorii de siliciu, componentele de baza ale tuturor echipamentelor de calcul.

Echipa Institutului de Cercetare in Electronica si Telecomunicatii a prezentat recent un nou tip de semiconductor botezat "Mott", dupa numele lui Nevill Mott - un cercetator britanic care a castigat Premiul Nobel in 1977.

AVANTAJ. Desi este construit din metal, noul dispozitiv nu conduce electricitatea in conditii normale. Totusi, atunci cand intra in contact cu un curent de inalta tensiune, dispozitivul incepe sa conduca electricitatea fara ca temperatura materialului special sa creasca peste 67 de grade Celsius.

Noul semiconductor are marele avantaj ca genereaza mai putina caldura. Dezavantajul siliciului este ca nu permite plasarea prea multor circuite intr-un cip din cauza ca ar genera prea multa caldura. Acest lucru a dus la limitarea vitezei procesoarelor, spre exemplu, si orientarea producatorilor spre tehnologia multicore.

PIATA. Potrivit lui Lim Joo-Hwan, presedintele institutului coreean, noii semiconductori vor inlocui pana la urma cipurile de siliciu. Semiconductorii Mott ar putea sa deschida o noua piata valorand 100 miliarde de dolari pe an la nivel mondial.

Acestia vor permite construirea unor cipuri cu circuite avand grosimea de 5 nanometri, spune cercetatorul. Un nanometru reprezinta o fractiune de un milion de ori mai mica decat un milimetru.

La modul teoretic, cipurile produse in prezent ar putea contine circuite de 40 de nanometri, dar cele mai avansate produse existente pe piata au circuite de 60 de nanometri grosime. Expertii spun ca aceasta este limita din punct de vedere tehnic pentru miniaturizarea circuitelor bazate pe siliciu.
×
Subiecte în articol: IT